Китайски учени разработиха транзистори с рекордно ниска консумация на енергия

В търсене на заместител на добре познатата CMOS памет, която наближава границите на възможностите си, разработчиците все по-често търсят памет със сегнетоелектрически FeFET транзистори. Те предлагат много по-високи скорости на превключване от конвенционалните FinFET полеви транзистори, не изискват захранване за поддържане на състоянието и консумират сравнително по-малко енергия. Но имаше пречки, които ги възпрепятстваха – […]

Прочети цялата публикация