TSMC съобщи за пробив в разработката на транзистори от следващо поколение

Тайвански учени, в сътрудничество с инженери от TSMC разработиха нов метод за производство на транзистори на базата на едноатомен слой от молибденов дисулфид (MoS₂), който позволява значително да се повиши ефективността на управлението на тока и да се доближи двумерната електроника до производството на микросхеми. Проблемът не беше в материалите, а в методите за тяхното […]

Прочети цялата публикация