IBM и Samsung официално обявиха за направен голям пробив в проектирането на полупроводникови чипове. Партньорите са успели да създадат нова технология за вертикално разполагане на транзисторите. Това е нова конструкция на чиповете, в която част от компонентите са разположени перпендикулярно един към друг. Още на първата фаза на тестването на новия подход стана ясно, че […]
Прочети цялата публикация
Еврокомисията търси от България 1.2 млрд. евро гаранции за заем за Украйна
Трима от екипажа на кораба край Ахтопол са свалени
Орлин Горанов падна на колене пред Софи Маринова
Хоризонтът на протестите: Ще се радикализира или ще се успокои недоволството след втория Бюджет 2026
Ежегодния Коледен благотворителен базар в подкрепа на семейства с репродуктивни затруднения.
Как ФИФА режисира новото шоу на Тръмп
ПП: Няма да стане и по този начин! Подайте си оставката преди сряда!
Правителството се изправя срещу шестия вот на недоверие тази седмица
Барса отряза Ман Сити за Френки де Йонг
Стармър, Макрон и Мерц ще се срещнат със Зеленски в Лондон
Samsung ще инвестира над $300 млрд в производството на чипове, акумулатори и други през следващите пет години 
Топ ползи за здравето от лимоните 
Хегемонията на SK hynix в областта на HBM паметта е нарушена: за първи път в историята Samsung е №1 по производство 
Празнична скреч карта в приложението Yettel носи над 3 милиона награди 
Инвестират 20 милиона евро за производство на катамарани в Бургас, завариха символично три монети с логото на общината 
Без пробив инвестициите в AI няма да се изплатят „при никакви обстоятелства“, казва шефът на IBM 
Компактен като смартфон, практичен като таблет - набиращия скорост тренд при телефоните 
Кола се вряза в закусвалня във Враца, от пострадалата фирма смятат, че не е случайно 
Сарафов е оттеглил жалбата си пред ВАС за прекратената процедура за избор на главен прокурор 
Представяме Galaxy Z TriFold: бъдещето на мобилните иновации