Samsung и IBM преодоляха бариерата от 1 nm при производството на чипове

IBM и Samsung официално обявиха за направен голям пробив в проектирането на полупроводникови чипове. Партньорите са успели да създадат нова технология за вертикално разполагане на транзисторите. Това е нова конструкция на чиповете, в която част от компонентите са разположени перпендикулярно един към друг. Още на първата фаза на тестването на новия подход стана ясно, че […]

Прочети цялата публикация