Samsung и IBM преодоляха бариерата от 1 nm при производството на чипове

IBM и Samsung официално обявиха за направен голям пробив в проектирането на полупроводникови чипове. Партньорите са успели да създадат нова технология за вертикално разполагане на транзисторите. Това е нова конструкция на чиповете, в която част от компонентите са разположени перпендикулярно един към друг. Още на първата фаза на тестването на новия подход стана ясно, че […]
Прочети цялата публикация



Как англичаните планират да победят Русия
Bloomberg: Световните петролни резерви се изчерпват с рекордни темпове
9 май – Денят на Европа (ВИДЕО)
Войната в Иран показа, че НАТО не е готов за сблъсък с Русия
Промишленото производство скача с 5.8% през март 2026 г.
AI бумът изстреля пазарната капитализация на Samsung до над 1 трилион долара
Двама руски учени, специалисти по хиперзвукови технологии, бяха осъдени на по 12 години и половина затвор по обвинения в държавна измяна
ЕС и Украйна създават съюз за развитие на дронови технологии
КЗК възобнови производство срещу телекомуникационен оператор за възможна злоупотреба с господстващо положение
Проклятието на войните от среден мащаб застигна Тръмп
Владимир Путин: Танковете ни не бяха на Червения площад, защото са заети с окончателното разгромяване на ВСУ
Пингвинът Tux, талисман на Linux стана на 30 години
Дефектен прелез край Горна Оряховица, влакове минават на вдигната бариера (ВИДЕО)
Силен трансфер в родния волейбол! Цветан Соколов ще играе в Дея спорт
Спартак Варна - Славия 1:1 /първо полувреме/
ОАЕ прехванаха два ирански дрона във въздушното си пространство
Обезвредиха морски дрон със 100 кг експлозиви, открит от рибари край Лефкада