Samsung и IBM преодоляха бариерата от 1 nm при производството на чипове

IBM и Samsung официално обявиха за направен голям пробив в проектирането на полупроводникови чипове. Партньорите са успели да създадат нова технология за вертикално разполагане на транзисторите. Това е нова конструкция на чиповете, в която част от компонентите са разположени перпендикулярно един към друг. Още на първата фаза на тестването на новия подход стана ясно, че […]
Прочети цялата публикация



Си Дзинпин изложи на Тръмп условията за избягване на военен конфликт между САЩ и Китай
Дронове на ВСУ запалиха химически завод в Толиати, евакуираха служители на "АвтоВАЗ"
Съд в САЩ: Задържаните имигранти нямат право на гаранция
„Филин“: руска ракета с обсег до 1200 км и двигател Р500
Русия запазва авиационния си потенциал въпреки загубите
Русия може да изстрелва над 300 балистични ракети за месец
Кока-Кола, Нестле и Данон сменят екотвърденията
Володимир Зеленски: Русия атакува Киев с касетъчни бойни глави
Великобритания възстановява производството на оръжия с голям калибър
Резервен план! Saudi Aramco търси държави за петролни резерви
70 000 полицаи и страх от нови погроми: Франция се готви за тежък уикенд
Изкуственият интелект на Джак Дорси, който говори досущ като човек
Мария Конакчиева: Всеки път, когато французите са сваляли властта, са правили революции и бунтове
Тръмп отмени 50-процентните мита върху част от канадските стоки преди междинните избори в САЩ
Владо Карамазов разкри как се разпознават предателите в "Traitors: Игра на предатели"
Рас ал Хайма затвори плажовете си заради петролен разлив наблизо
Бивш италиански национал е дал положителна допинг проба
Медведев ще спори за титлата в Алмати
МВР получи 168 сигнала за изборни нарушения, 143 са за купуване на гласове