Samsung и IBM преодоляха бариерата от 1 nm при производството на чипове

IBM и Samsung официално обявиха за направен голям пробив в проектирането на полупроводникови чипове. Партньорите са успели да създадат нова технология за вертикално разполагане на транзисторите. Това е нова конструкция на чиповете, в която част от компонентите са разположени перпендикулярно един към друг. Още на първата фаза на тестването на новия подход стана ясно, че […]
Прочети цялата публикация



SAMSUNG и GM с ново сътрудничество, но и с край на общия им завод за батерии в Северна Америка
Роботи ще произвеждат роботи – по 10 хиляди броя годишно
Най-четеното от изминалата седмица (37/2026)
Швеция гласува днес на ключови парламентарни избори
Украински командири прогнозират тежка есен и зима
Цената на руската параноя
Европа държи коза срещу сенчестия флот на Москва и се готви да го използва
Yettel предоставя 25 месеца безплатна застраховка за новите сгъваеми модели Samsung Galaxy Z Fold8, Z Fold8 Ultra и Z Flip8
В ограничени количества! Иран произвежда нови балистични ракети от налични компоненти
Новият електрически Nissan от пазарния сегмент А ще се казва Pixo
Нови тревоги в Европа: Дронове край Полша, слухове за Мерц и напрежение около Иран
Путин: Всеки народ има право да избира своя път
Поредно постижение: "Одисея" стана най-касовият филм на Universal Pictures
„10 правила за отглеждане на деца във високотехнологичния свят“, Джийн Туенги
Йотова: Отказах да поема отговорност за помилване само веднъж – за убиеца на баща ми
Йорданка Христова: Един живот в движение, музика и размисли
Войната между хутите и Саудитска Арабия е трагедия за Доналд Тръмп
Емилиян Гебрев: Някой е подвел вътрешния министър за саботаж в „ЕМКО“